ราคา RAM จ่อพุ่งต่ออีกเกือบ 90% ภายในสิ้นปี 2026

ตลาดหน่วยความจำทั่วโลกกำลังเผชิญแรงกดดันครั้งใหญ่ หลังนักวิเคราะห์อุตสาหกรรมคาดว่าราคา DRAM และ NAND จะปรับตัวขึ้นอย่างต่อเนื่องตลอดช่วงครึ่งหลังของปี 2026 และอาจลากยาวไปจนถึงปี 2027 โดยมีสาเหตุหลักจากความต้องการชิปสำหรับระบบ AI ที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วจนกำลังการผลิตไม่เพียงพอ

อย่างไรก็ตาม ท่ามกลางคำอธิบายเรื่องอุปสงค์และอุปทาน กลับมีประเด็นร้อนเกิดขึ้นในสหรัฐฯ เมื่อผู้บริโภคในรัฐแคลิฟอร์เนียยื่นฟ้องผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ของโลก ได้แก่ Samsung, SK Hynix และ Micron โดยกล่าวหาว่าทั้งสามบริษัทจำกัดปริมาณการผลิตเพื่อผลักดันให้ราคาสินค้าสูงขึ้นอย่างไม่เป็นธรรม

นักวิเคราะห์คาดราคา RAM พุ่งแรงต่อเนื่องถึงปี 2027

Ethan Tan ที่ปรึกษาด้านอุตสาหกรรมหน่วยความจำและอดีตผู้บริหารของ Samsung ประเทศจีน เปิดเผยกับนักวิเคราะห์ของ Jefferies Equity Research ว่า ราคาหน่วยความจำมีแนวโน้มเพิ่มขึ้น 40-50% ในไตรมาส 3 ปี 2026 เมื่อเทียบกับไตรมาสก่อนหน้า และอาจเพิ่มขึ้นอีก 30-40% ในไตรมาสสุดท้ายของปี

ตัวเลขดังกล่าวสูงกว่าที่นักลงทุนฝั่งตะวันตกและทีมวิจัยของ Jefferies เคยประเมินไว้ก่อนหน้านี้อย่างมาก

ปัจจุบัน Samsung, SK Hynix และ Micron ครองกำลังการผลิต DRAM และ NAND เกือบทั้งหมดของโลก โดยหน่วยความจำเหล่านี้กลายเป็นชิ้นส่วนสำคัญของศูนย์ข้อมูล AI ซึ่งให้ผลกำไรสูงกว่าตลาดคอมพิวเตอร์ สมาร์ตโฟน และเครื่องเล่นเกมหลายเท่า ทำให้ผู้ผลิตต่างหันไปจัดสรรกำลังการผลิตเพื่อรองรับตลาด AI มากขึ้น

ผลลัพธ์คือกำลังผลิตรวมของทั้งสามบริษัทไม่สามารถตอบสนองความต้องการจากผู้ให้บริการ AI ได้ ส่งผลให้ราคาหน่วยความจำสำหรับศูนย์ข้อมูลเพิ่มขึ้นสูงถึงประมาณ 700% ภายในเวลาเพียง 4 ปี และส่งผลกระทบต่อราคาสินค้าอิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคทั่วโลก

ผู้ผลิตรายใหญ่อย่าง Apple, Sony และ Microsoft ต่างทยอยปรับขึ้นราคาสินค้าบางรุ่นจากต้นทุนหน่วยความจำที่เพิ่มสูงขึ้น

Tan ยังประเมินว่า แม้เทคโนโลยีการผลิตชิปจะพัฒนาอย่างต่อเนื่อง แต่กำลังการผลิตในปี 2026 จะเพิ่มขึ้นเพียง 7-8% เท่านั้น ซึ่งไม่เพียงพอต่อความต้องการ ส่งผลให้ภาวะขาดแคลนอาจยืดเยื้อไปถึงปี 2027 และมีโอกาสที่ราคาจะเพิ่มขึ้นอีกประมาณ 40-45% เมื่อเทียบรายปี ก่อนที่จะเริ่มปรับลดลงราว 15-20% ในปี 2028 หากกำลังการผลิตเพิ่มขึ้นและความต้องการด้าน AI เริ่มชะลอตัว

จีนยังไล่ตามไม่ทัน แม้ DDR5 เริ่มแข่งขันได้

แม้ผู้ผลิตจีนอย่าง CXMT จะสามารถผลิตหน่วยความจำ DDR5 ที่มีประสิทธิภาพเพียงพอสำหรับคอมพิวเตอร์ทั่วไป และมีรายงานว่า Apple พยายามผลักดันให้รัฐบาลสหรัฐฯ อนุญาตให้จัดหาชิปจากบริษัทดังกล่าว แต่ผู้เชี่ยวชาญมองว่า CXMT ยังไม่สามารถก้าวไปสู่การผลิต DDR6 หรือ HBM3E ซึ่งเป็นหน่วยความจำประสิทธิภาพสูงสำหรับ AI ได้ในระยะใกล้

สาเหตุสำคัญคือข้อจำกัดด้านเทคโนโลยีการผลิต โดยเฉพาะการไม่สามารถเข้าถึงเครื่องผลิตชิปด้วยเทคโนโลยี EUV Lithography ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญของการผลิตชิปยุคใหม่ เนื่องจากมาตรการควบคุมการส่งออกของสหรัฐฯ

อย่างไรก็ตาม Tan เชื่อว่าเทคโนโลยี NAND Flash ของจีนอาจพัฒนาจนมีศักยภาพใกล้เคียงผู้ผลิตรายใหญ่ของโลกได้ภายในปี 2028

จากแนวโน้มในปัจจุบัน ผู้บริโภคอาจต้องเผชิญกับต้นทุนอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่สูงขึ้นอีกระยะหนึ่ง เพราะหน่วยความจำยังคงเป็นชิ้นส่วนสำคัญของทั้งพีซี สมาร์ตโฟน เซิร์ฟเวอร์ และระบบ AI ขณะที่กำลังการผลิตทั่วโลกยังไม่สามารถไล่ทันความต้องการที่เติบโตอย่างรวดเร็วได้ในช่วง 1-2 ปีข้างหน้า

ที่มา