Toshiba Memory Corporation ซึ่งเป็นผู้พัฒนาโซลูชั่นหน่วยความจำระดับโลกได้ประกาศในวันนี้เกี่ยวกับการพัฒนาหน่วยความจำแฟลชแบบ 3D (three-dimensional (3D) flash memory) ที่มีโครงสร้างเซลล์ซ้อนกันตัวแรกของโลก โดยอุปกรณ์รุ่นที่ชื่อว่า BiCS FLASH ตัวล่าสุดนี้จะเป็นอุปกรณ์แรกที่นำเสนอเทคโนโลยีแบบ 4 บิตต่อเซลล์ (สี่เท่าระดับเซลล์ หรือ quardruple-level cell, QLC) และกำลังเพิ่มขีดความสามารถมากกว่าอุปกรณ์แบบสามเท่าระดับเซลล์ หรือ TLC (Triple-level Cell) ซึ่งถือเป็นการผลักดันขอบเขตของเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบแฟลชไปอีกขั้น
หน่วยความจำแฟลชแบบเซลล์มัลติบิตจะจัดเก็บข้อมูลโดยการจัดการจำนวนอิเล็กตรอนในเซลล์หน่วยความจำแต่ละเซลล์ ซึ่งการพัฒนาเทคโนโลยี QLC จนสำเร็จเช่นนี้ เป็นเรื่องที่ท้าทายด้านเทคนิค เนื่องจากการเพิ่มจำนวนบิตต่อเซลล์หนึ่งบิตโดยที่อยู่ในอิเล็กตรอนเดียวกันต้องใช้ความแม่นยำทางเทคโนโลยี TLC เพิ่มเป็นสองเท่า โดย บริษัทโตชิบาเมมโมรี่คอร์ปอเรชั่น ได้อาศัยวงจรขั้นสูงที่ถูกพัฒนามาอยากก้าวล้ำ และเทคโนโลยีการประมวลผลหน่วยความจำแฟลชแบบ 64 เลเยอร์ 3D 3 คุณภาพชั้นนำในอุตสาหกรรมเพื่อสร้างหน่วยความจำแฟลช QLC 3D ตัวนี้ขึ้นมา
อุปกรณ์ต้นแบบมีความจุ die สูงสุดที่มากที่สุดในโลก อยู่ที่ 768 กิกะบิต / 96 กิกะไบต์ ด้วยกระบวนการหน่วยความจำแฟลชแบบ 3D 64 เลเยอร์ ทั้งนี้การจัดส่งต้นแบบไปยังผู้จัดจำหน่าย SSD และ SSD เพื่อการประเมินและพัฒนาจะเริ่มตั้งแต่ต้นเดือนมิถุนายน
หน่วยความจำแฟลชแบบ QLC 3D นี้ยังช่วยให้เกิดอุปกรณ์ 1.5 เทราไบต์ (TB) ที่มีสถาปัตยกรรมแบบ 16-die ที่อยู่ในแพ็กเกจเดียว ซึ่งถือเป็นความจุที่ใหญ่ที่สุดในอุตสาหกรรม ในขณะนี้ ตัวอย่างอุปกรณ์ที่ก้าวล้ำนี้จะมีการจัดแสดงในที่ประชุมสุดยอด Flash Memory 2017 ณ ซานตาคลาร่า รัฐแคลิฟอร์เนีย ประเทศสหรัฐอเมริกา ระหว่างวันที่ 7-10 สิงหาคม
โตชิบาผลิตอุปกรณ์ 64 กิกะบิทขนาด 256 กิกะบิท (32 กิกะไบต์) จำนวนมาก และจะขยายการผลิตต่อไปเพื่อแสดงถึงความเป็นผู้นำในอุตสาหกรรมด้วยการพัฒนาด้านเทคโนโลยี ที่มุ่งเน้นการตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับความหนาแน่นสูง แต่มีชิปหน่วยความจำแฟลชขนาดเล็ก ทั้งนี้โซลูชั่นอุปกรณ์ QLC ตัวใหม่นี้มีเป้าหมายในการเอาไปใช้ใน SSD องค์กร SSD ผู้บริโภค และการ์ดหน่วยความจำ เป็นต้น
